参数 | 符号 | 功率等级 | 单位 |
功率 | PD | 30 | 50 | W |
正向压降 | VF | 28-34 | 28-34 | V |
极限参数(TA=25℃) | 脉冲电流 | IFP | 2100 | 3500 | mA |
正向电流 | IF | 1050 | 1750 | mA |
工作温度 | TOPR | -40~+65 | ℃ |
储存温度 | TSTG | 0~+60 | ℃ |
结点温度 | TJ | 115 | ℃ |
静电释放 | ESD | 2000 | V |
热阻 | RΘJ-B | 0.4/0.24 | ℃/W |
光电特性参数(TA=25℃) | 色温 | CCT | 2900-6500 | K |
光通量 | ΦV | GT-P100WW63300303A | GT-P100WW64300303B | GT-P100WW63500505B | GT-P100WW64500506B | lm |
3300-3600 | 3900-4200 | 5500-6000 | 6500-7000 |
芯片尺寸 | | 33 | 45 | 33 | 45 | mil |
反向漏电流 | IR | 1000 | μ A |
发光角度 | 2θ1/2 | 120 | Deg |
包装标准 | PS | 12 | Pcs/Tube |
参数 | 符号 | 功率等级 | 单位 |
功率 | PD | 80 | 100 | W |
正向压降 | VF | 28-34 | 28-34 | V |
极限参数(TA=25℃) | 脉冲电流 | IFP | 5600 | 7000 | mA |
正向电流 | IF | 2800 | 3500 | mA |
工作温度 | TOPR | -40~+65 | ℃ |
储存温度 | TSTG | 0~+60 | ℃ |
结点温度 | TJ | 115 | ℃ |
静电释放 | ESD | 2000 | V |
热阻 | RΘJ-B | 0.15/0.12 | ℃/W |
光电特性参数(TA=25℃) | 色温 | CCT | 2900-6500 | K |
光通量 | ΦV | GT-P100WW63800808B | GT-P100WW648008010A | GT-P100WW63100010011A | GT-P100WW64100010013A | lm |
8800-9600 | 10400-11200 | 11000-12000 | 13000-14000 |
芯片尺寸 | | 33 | 45 | 33 | 45 | mil |
反向漏电流 | IR | 1000 | μ A |
发光角度 | 2θ1/2 | 120 | Deg |
包装标准 | PS | 12 | Pcs/Tube |